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Convegni ATI - Accesso riservato soci CTI

Analisi teorica del comportamento termico di dispositivi di potenza a semiconduttore

Pubblicazione


Autore: G.L. Morini, M. Spiga, P. Tartarini

Collana: CA - 49 - Perugia 1994

Note:
Nel presente lavoro studiato il comportamento termico di dispositivi elet- tronici di potenza. In particolare, vengono ricavate analiticamente e numericamente le distribuzioni di temperatura e flusso termico che si instaurano, a regime, nei tiristori multistrato "Gate Turn-Off" numerico monodimensionale ed uno tridimensionale, la cui implementazione in un codice di operative di funzionamento. Vengono pertanto calcolati profili di temperatura nel componente in funzione dei principali parametri fisici e geometrici che possono influenzare il rendimento del GTO stesso. I risultati ottenuti vengono discussi sulla base di indicazioni fornite da una serie di dati forniti dall'Ansaldo Componenti di Genova.


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